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Producto 31 de 75
Este producto está en nuestro catálogo desde miércoles 12 de diciembre de 2018.

Samsung 860 EVO Series 2TB - 2.5" Unidad de estado sólido (SSD), 3D V-NAND, 550MB/s de lectura, 520MB/s de escritura, SATA3 6Gb/s

Código: SSD-SAM-045
Modelo: MZ-76E2T0E
Fabricante: Samsung
Página del fabricante: Haga clic aquí
Cantidad:Centro de Distribución Agotado
Cantidad:Sucursal El Dorado 9
Cantidad:Sucursal San Francisco Agotado
Precio:   $348.90
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Características principales:

Tecnología Samsung V-NAND
La memoria flash V-NAND de Samsung ayuda a superar las limitaciones de la arquitectura NAND plana convencional. Apila 64 capas de celdas verticalmente una sobre otra en lugar de tratar de encajar en un espacio horizontal fijo, con el fin de proporcionar una alta densidad y rendimiento con una huella pequeña.

Rendimiento rápido de lectura / escritura
El 860 PRO funciona a velocidades de escritura secuenciales de hasta 520 MB/sy velocidades de lectura secuenciales de hasta 550 MB/s con un robusto controlador Samsung MJX basado en algoritmos (hasta 1 GHz).

Compatibilidad ampliada
Experimente una comunicación rápida y fluida con su sistema host. El robusto controlador MJX basado en algoritmos genera altas velocidades, y el TRIM en cola mejorado ayuda a mejorar la compatibilidad con Linux.

Especificaciones del producto:

  • Tipo
    • Serie: SSD 860 EVO
    • Aplicación de uso: PC clientes
    • Interfaz: Interfaz SATA 6 Gb/s, compatible con SATA 3 Gb/sy SATA 1.5 Gb/s
  • Almacenamiento
    • Capacidad: 2 TB
  • Caracteristicas
    • La velocidad de lectura secuencial: Hasta 550 MB/s
    • La velocidad de escritura secuencial: Hasta 520 MB/s
    • La velocidad de lectura aleatoria: Lectura aleatoria (4KB, QD32): Hasta 98,000 IOPS Lectura aleatoria de lectura aleatoria (4KB, QD1): Hasta 10,000 IOPS de lectura aleatoria
    • La velocidad de escritura aleatoria: Escritura aleatoria (4KB, QD32): Hasta 90,000 IOPS Escritura aleatoria Escritura aleatoria (4KB, QD1): Hasta 42,000 IOPS
    • Controlador: Controlador Samsung MJX: 
    • Flash nand: Samsung V-NAND 3bit MLC
    • Memoria caché: 2GB LPDDR4
    • Soporte de ajuste: Sí
    • Cifrado AES: Cifrado AES de 256 bits (Clase 0) TCG / Opal IEEE1667 (unidad cifrada)
    • Soporte SMART: Sí
    • GC (recolección de basura): Algoritmo de recolección automática de basura
    • Soporte WWN: Nombre de World Wide apoyado
    • Dispositivo de modo de suspensión de soporte: Sí
  • General:
    • Consumo de energía (W): Lectura / escritura activa: Máx. 4.0 W (4TB) / Avg. 3.0 W (4TB)
    • Inactivo: Máx.: Dispositivo de sueño de 0,5 W (4 TB) : 2 mW (4 TB)
    • Fiabilidad (MTBF): 1.5 millones de horas de confiabilidad (MTBF)
  • Especificaciones ambientales
    • Temperatura de funcionamiento: 0 - 70 Temperature Temperatura de funcionamiento
    • Choque: 1,500G y 0.5ms (medio seno)
  • Factor de forma
    • Producto: 2.5" SATA III
    • Dimensiones: 3.94" X 2.76" X 0.27"
    • Peso: 0.21 libras